共催・協賛行事

5th Conference on Recent Progress in Graphene Research 2013 (RPGR2013)

 2004 年のマンチェスター大学のグループによるグラフェンの単離とその特異な電子物性の発見は、基礎科学と応用展開の観点から、フラーレン、炭素ナノチューブから始まるナノカーボン研究に大きな新しい一歩となりました。2010年にはマンチェスター大学のグループにノーベル物理学賞が授与され、基礎科学におけるグラフェン研究の重要性が認識されるとともに、応用の観点からは、高速電子デバイス、透明電極、触媒等、産業界からもグラフェン研究への大きな関心が寄せられております。このことを反映し、グラフェンについてのさまざまな国際会議が開催され、グラフェンがナノサイエンス・ナノテクノロジーの大きな課題としてクローズアップされております。
 このような中で、アジア諸国でも基礎科学、応用研究に関して盛んに研究が行われるとともに、大きな研究投資が行われております。このようなグラフェン研究のアクティビティを踏まえ、アジアのグラフェンコミュニティでは、2009年より国際会議Conference on Recent Progress in GrapheneResearch(RPGR)を開催して参りました:RPGR2009(KIAS, Seoul, Korea)、RPGR2010(Singapore)、RPGR2011(SKKU, Suwon, Korea)。今年度はRPGR2012 (Inst. of Phys., Beijing, China)が北京で10月3-6日に開催。
 このような会議のシリーズの一環として、来年9 月9〜13 日にRPGR 2013 を東京で開催する運びとなりました。私共は、本会議RPGR 国際運営委員会の推薦・承認の下に、RPGR2013 の開催に向けて以下のように準備を進めております。これからますます重要となるグラフェンの基礎・応用研究の中で、日本のナノカーボンのコミュニティが、グラフェン研究の発展を担うとともに、そのアクティビティを世界に発信して行く一助となるべく、本会議の企画開催に尽くして参る所存です。
 関係の皆様のご参加、ご支援をお願いいたします。
2012年9月30日
飯島 澄男 名誉議長
榎 敏明 議長
尾辻 泰一 議長
長谷川 雅考 議長
会議概要
  • [1] 日程:
  • 2013 年9 月9 日(月)-13 日(金)
  • [2] 場所:
  • 東京工業大学・蔵前会館
  • [3] 組織委員会:
  • 飯島 澄男(名城大学) 名誉議長
    榎 敏明(東京工業大学) 議長、尾辻 泰一(東北大学) 議長、長谷川 雅考(産総研) 議長、Antonio H. Castro Neto (National Univ. Singapore) 議長、安藤 恒也(東京工業大学)、小林 俊之(SONY)、久保 孝史(大阪大学)、日比野浩樹(NTT)、京谷 隆(東北大学)、丸山 茂夫(東京大学)、三宅 雅人(アイクストロン) 村上睦明(カネカ)、西木 直巳(パナソニック)、大島 忠平(早稲田大学)、大澤 映二(ナノカーボン研究所)、Victor Ryzhii (会津大学)、斉木 幸一朗(東京大学) 、斎藤 晋(東京工業大学)、酒井 忠司(東芝)、佐藤 信太郎(産総研)、鳥海 明(東京大学)、塚越 一仁(物材機構)、若林 克法(物材機構)、横山 直樹(産総研)
  • [4] 実行委員会:
  • 長谷川 雅考(産総研) 議長、若林 克法(物材機構) 議長、吾郷 浩樹(九州大学)、神田 晶申(筑波大学)、木口 学(東京工業大学)、近藤 大雄(産総研)、久保孝史(大阪大学)、長汐 晃輔(東京大学)、岡田 晋(筑波大学)、佐藤信太郎(産総研)、末光 眞希(東北大学)、塚越 一仁(物材機構)、山田 貴壽(産総研)
  • [5] プログラム概要:
  • 1)科学技術セッションのスコープ
    グラフェンに関する下記の科学技術領域・分野を中心とする最新の成果を公表・議論する場とする。
    ・結晶物理(カイラリティ、積層様式、フォノン、スピン、不純物注入、結晶欠陥、ヘテロ界面等)
    ・電子物性(キャリア輸送、エキシトン、量子ホール効果、量子トンネル効果、超伝導、
     磁気光学特性等)
    ・分光(光学応答、赤外・テラヘルツ波応答、非平衡キャリアダイナミクス、ラマン散乱、X線回折、
     電子線回折、強相関電子系等)
    ・表面分析(原子間力顕微プローブ、表面トンネルプローブ、ケルビンプローブ等)
    ・熱伝導特性
    ・結晶成長・合成(化学剥離、化学気相成長、エピタキシー、ヘテロエピタキシー等)
    ・デバイス・プロセス・用途開発(トランジスタ、ダイオード、光波検出、光波変調、レーザー、
     透明電極、水素吸蔵、スピントロニクス等)
    ・二次元物質(トポロジカル絶縁体、トポロジカルDirac Fermion等)
    2)エグジビジョン
    グラフェン研究に関連する、結晶成長、デバイスプロセス、分光・分析、計測評価、数値解析等の 最先端装置・機器・シミュレータを展示するエグジビジョンを併設する。
  • [6] 会議の規模:
  • 予想参加者数 約300名
    プレナリー講演 2件
    招待講演 20件
    一般オーラル講演 50件
    一般ポスター講演 100件
  • [8] 準備日程:
  • 会議のアナウンス 2012年 11月 中旬
    講演募集開始 2013年 3月 初旬